[散热]别让你的nFroce死的不明不白，请关注一个散热细节问题（供电）5月20日更新

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前言
希望上次的帖子能提醒大家注意一下nforce的北桥、南桥温度问题，既然这个帖子也是名字叫关注散热细节，那么聪明的你估计也猜测到了这篇帖子的重点就是nforce 680i第二个高温地带：mosfet散热部分
在说这个事之前，我想先提醒一下大家，虽然nForce 680i只有一个型号，但是其家族分支异常的庞大，特别是各种小部分细节的改进，甚至“偷工减料”，更是多到数不清，于是到后期出现一些主板体制和耐温度上的差异也是有可能的。
在你损失你珍贵的资料、时间、脑细胞之前，我希望你仔细看完这篇文章，再结合自己的应用范围，看看nForce是否真的适合你。
事情的起因是这个帖子：http://www.evga.com/forums/tm.as ... =1&key=%F0%93%88%AD

讲的是一位装机商在卖了50+的680i主板后，自己坏了3块680i主板的事，他总结自己的坏主板问题时提到了：
第一块：稳定运行4周后开机出现1C错误
第二块：到手一周后，两条内存插槽损坏了，再一周后，开机出现1D错误，合计两周
第三块：到手一周后，系统出现Memory Management蓝屏错误。进入BIOS恢复一切设置，但是已经无法挽救，无法再进入到windows。更不幸的是他的内存也被烧掉了
需要补充的是该作者的机器是水冷散热，包括南桥、北桥、CPU、显卡
而这两根内存还用到了摇头风扇
这一套装备按理说散热工作已经做得很华丽了：

同时他把自己的超频时设置列了出来：
第一块: MCP: 1.5v / SPP: 1.4 / FSB: 1.4  / Vcore:  1.475v /Memory: 2.2v
第二块: MCP: 1.55v / SPP: 1.5 / FSB: 1.4  / Vcore:  1.5375v /Memory: 2.2v
第三块: MCP: 1.6v / SPP: 1.45 / FSB: 1.4  / Vcore:  1.5375v /Memory: 2.3v

前两次是3.4GHZ的 E6600 ，第三次是 3.6GHZ。
都算是比较正常的超频幅度。内存是D9的颗粒，耐高压也没问题。
但是怪事接二连三的发生，而且都是在稳定工作一段时间后突然出事，就像被设了定时炸弹一样。到底问题出在哪里？
经过别人的指点，原来根源就是供电模块散热片设计得太简陋，这个部分的热量太高导致长时间工作后元件烧毁。

教训
话题回到我自己身上，这件事情我是有切身体会：我的第二块680i到手后没超过4小时就光荣牺牲了，前两个小时在调试超频，最后两个小时在跑 Prime95测试系统稳定性，刚刚跑了1小时Prime95，正在测试3DMark到最后一个场景时，电脑重启了，当时，我闻到了一股焦味，接下来电脑就一直重启，进不了系统。
拆下主板，我发现到CPU周围的电路出奇的烫，特别是上部的mosfet部分那几个R50的电感，手指放上面不敢超过5秒，直觉告诉我，至少有50-60度的高温。
我后来的观察发现原来是靠近CPU插座和Mosfet之间烧掉了一个三极管：

既然超频时没烧而是高负荷工作下烧掉，我猜测到是由于供电部分在超频时的高温积累导致了这次悲剧
大家可以先看一下我当时的机箱布局，（关于这个机箱的文章，可以在我的另一篇帖子里面找到)：

笔者机箱散热风道详细示意图

换上这个机箱后，整机通过传感器和软件显示出来的温度比我以前的老机箱低了很多，所以我对于温度的控制我也很有信心，而同时由于之前的C0版 680i不支持Q6600超频，默认频率下安稳使用了2周都很正常，所以mosfet温度积累问题也没有被凸显出来。
换上支持Q6600超频的D00的新主板后，在匆忙追求极限超频时，我只关注了几个主要大件的温度问题：CPU、SPP、MCP、显卡，甚至没有实际把手伸进机箱去感受一下。
拆下主板仔细观察和测量后我发现了一个机箱散热的盲点：如图

原设计是通过侧面的大风车与后背的12CM风扇吸出机箱废气。
设想是好的，但是实际上冷空气从内存部分吹进拿破仑后，由于mosfet散热片过矮，而12CM吸气风扇边框较厚，气流并没有带走mosfet的热量就直接被排出机箱，同时由于大风车那里被一个8pin的电源辅助供电插口挡住，热气也无法通过大风车排出去。

为了证实自己的猜测，我还请教了发明冠西硅脂的wcblove以及在风扇上颇有研究的努力奋斗的扇子屋，他们在看了我的散热部分问题后基本同意上述猜测，努力奋斗的扇子屋建议我换用卧式散热器，解决主板周边元件的散热问题，但是由于我的机箱非38度侧面开口机箱，卧式散热器很难发挥出效力，所以他最后建议我使用华硕的mosfet散热风扇；
wcblove则建议我把背部风扇切掉下面部分增强吸气范围或者挡住一半的风扇使气流反弹来使得冷空气进入到mosfet散热片。
在此很感谢他们的指导和建议，听取了他们的意见后，我采取了两边都改的方式：既把风扇打洞、又添置mosfet小风扇。
于是改造结果如下图

为了能测试这些理论是否正确，我另外购置了一个红外线测温仪，测试部分：
在24度室温下，100%满载的Q6600在工作了10分钟后
mosfet散热片温度是37度-38度之间保持稳定
而当我关闭mosfet散热风扇5分钟后后
mosfet散热片的温度慢慢涨到了44度以上，由于前次烧掉主板的经验教训，我不敢再拷机更长时间。马上打开mosfet散热器，1分钟后温度又回到了38度，如图：

测试和理论高度吻合，供电模块散热这一隐性电脑杀手在确凿的证据面前终于被揪了出来。

补充：供电部分的热量与系统超频与否、负载高低、双核、4核有密切关系。

思考
当然，事情还没完，这之后笔者也做了更多的资料查阅工作，
在华硕的官方网站上我找到了对于这个mosfet风扇的解释：用于水冷环境和无风扇环境
再看看680i附带的北桥散热风扇上的说明：用于水冷和超频环境

为什么都提到水冷呢？
因为主板商在设计主板的时候都是以Intel提供的资料进行散热规格设计，而Intel是提倡卧式散热器的主要人物，卧式散热器的一个特点就是能把废气吹向内存、芯片组、供电模块从而让空气流动起到主板元件辅助散热的效果，而水冷以及现在主流的塔式测风吹散热器都是相当精准的只针对当前芯片散热，不会顾及到周边设备。
随着主板的制造越来越精密和复杂，元器件高度的整合，主板辅助散热问题开始进入人们的视线：从最初的abit倡导的供电散热OTES模块、中高端主板热管散热片横行、DFI夸张的热管散热套件...当供电部分温度越来越需要更多关注的时候，人们的眼光还是更多的集中在“能看得见温度”的部分，特别是被Tower 120 乃至后来的 Ultra 120 extreme极致的散热能力折服后，大量的评测数据和评论似乎都表明这样一种观点：现在是塔式散热器一统天下的时候了，卧式散热器已经过时了。人们纷纷争相购买性能强大的塔式散热器，去冲击温度数字上的华丽。
盲目和狂热向来都是灾难的导火索，过渡追求数字上的华丽，却忽视了散热应该是个整体的系统而不仅仅是软件能读取到温度的CPU、GPU、芯片组。
就如同上一篇说到关于一个不值钱的硅脂如何废掉一块主板的例子一样，这次又是一个不起眼的散热片废掉了一块主板，让拥有高档散热系统的主板死的不明不白，甚至发生内存、CPU烧毁的悲剧... nForce 不稳定、做工有缺陷的各种言论也就此蔓延开来。

在惋惜的同时，NVIDIA同样意识到问题的严重性，所以在最新的700i系列芯片组中我们果然看到了如下产品：
Mosfet部分的热量都被热管引导到空旷的北桥位置集中处理

每一次进步都是踏着无数人的肩膀，衷心希望NVIDIA 能吸取其中的教训，把自己的主板真正做到内外一致的完美，尽量少一点亡羊补牢。

为了明白这个道理，我付出了惨痛的代价，不过也正是这些损失让我对散热有了新的体会。
希望大家在看完这篇文章后也能有所收获。

2008年5月20日补充说明：
这篇文章发出后，有朋友问我几个问题，在此统一解答一下：
1.为什么我配置和你差不多，用了这么久没事呢？
2.Intel的主板也会这么热吗？
3.供电模块温度和超频大小的关系是怎么样的？
4.供电模块温度和CPU负载大小的关系是怎么样的？
5.双核超频也会这么热吗？
6.680i和650i的mosfet缩减为3个会不会影响超频？

答：
1.我可以确认的是最老的一批C00型号的680i SLI主板每相是4个 mosfet，2007年3月左右的一批的D00型号 680i SLI主板 Pro#以 26为主，供电模块由每相4个mosfet减少为3个，（同样的事情出现在最近一批650i上）这个省钱的决定导致这部分主板在散热上更加严酷，据说在后来版本的680i上恢复了每相4个mosfet的设计，（但是又引入了不知名的电感啸叫问题，这个话题另说）因此这批版本在超频的时候，供电模块发热更大。
2.供电模块发热的大小与以下项目相关
硬件方面看：
主板：供电相数、每相并联mosfet数目、控制芯片、使用元件的质量、布线设计
CPU：单核、双核、四核对供电要求依次递增，超频频率越高间接要求电压越高供电要求相应增加
散热：塔式或者水冷散热器会导致空气无法流通，热量积累
软件方面看：
不同应用导致的空载和满载

3.参考2
4.参考2
5.参考2

因此一个最为严酷的散热状况是：

4核心 CPU
极限超频状态，CPU电压很高
所有核心满载
使用塔式或者水冷，无专用散热供电模块
机箱密闭，风道不佳

在这个严酷状态下，供电部分的热量是最高的。
反之，每一项低于上述标准的话，发热都会相应降低。
笔者很不幸的几乎各项都满足到了，因此主板在到手后4小时就迅速升天。

6.
理论上讲会影响到4核CPU超频，对于双核影响不大，对超频影响最大的不是做工、用料而是电路设计和优化以及用户对硬件的了解。
举三个实例：

C00型680i主板超频4核过不了3G，光论元件数量来说，mosfet比D00还多，原因在于超频优化
650i超频4核止步于3G,是由于供电接线只有4-pin 且 SPP电压调整范围过低，原因在于电路设计
很多网友（包括笔者）在做好散热工作的前提下，用mosfet缩减版的680i 超频Q6600>=3.6G ，原因在于多交流、多逛论坛

650i超频能力的限制不是在缺少几个mosfet，更多的原因在超频优化和电路设计上没有得到680i那样多的重视，这也是650i市场定位所决定的。
作为理性的消费者和玩家，我们应该抵制部分厂商盲目堆料做法，甚至不惜打品牌效应过度宣传而转移了自身设计能力不足、优化不够这个事实

[ 本帖最后由 privater 于 2008-5-20 12:06 编辑 ]

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